La memoria flash è una forma di tecnologia semi-pass e memoria riprogrammabile elettricamente. Lo stesso concetto può essere utilizzato nei circuiti elettronici per indicare soluzioni tecnologicamente complete. Nella vita di tutti i giorni, questo concetto è fisso per un'ampia classe di dispositivi a stato solido per l'archiviazione delle informazioni.
Necessario
Chiavetta USB, computer con connessione internet
Istruzioni
Passo 1
Il principio di funzionamento di questa tecnologia si basa su modifiche e registrazioni in aree isolate di carica elettrica in una struttura a semiconduttore. Il cambiamento di tale carica, cioè la sua registrazione e cancellazione, avviene con l'aiuto di un'applicazione situata tra la sorgente e la porta del suo potenziale maggiore. Pertanto, viene creata un'intensità di campo elettrico sufficiente tra il transistor e la tasca in un campo dielettrico sottile. Ecco come nasce l'effetto tunnel.
Passo 2
Le risorse di memoria si basano sulla variazione di carica. A volte è associato all'effetto cumulativo di fenomeni irreversibili nella sua struttura. Pertanto, il numero di voci è limitato per la cella flash. Questa cifra per MLC è solitamente di 10 mila unità e per SLC - fino a 100 mila unità.
Passaggio 3
Il tempo di conservazione dei dati è determinato dal tempo di conservazione degli addebiti, che di solito è indicato dalla maggior parte dei produttori di prodotti per la casa. Non supera i dieci-venti anni. Sebbene i produttori diano una garanzia solo per i primi cinque anni. Va notato, tuttavia, che i dispositivi MLC hanno periodi di conservazione dei dati più brevi rispetto ai dispositivi SLC.
Passaggio 4
La struttura gerarchica della memoria flash è spiegata dal fatto seguente. Processi come la scrittura e la cancellazione, nonché la lettura di informazioni da un'unità flash, si verificano in grandi blocchi di dimensioni diverse. Ad esempio, un blocco di cancellazione è più grande di un blocco di scrittura, che a sua volta è più piccolo di un blocco di lettura. Questa è una caratteristica distintiva della memoria flash da quella classica. Di conseguenza, tutti i suoi microcircuiti hanno una struttura gerarchica pronunciata. La memoria viene così suddivisa in blocchi, e quelli in settori e pagine.
Passaggio 5
La velocità di cancellazione, lettura e scrittura è diversa. Ad esempio, la velocità di cancellazione può variare da uno a centinaia di millisecondi. Dipende dalla dimensione delle informazioni da cancellare. La velocità di registrazione è di decine o centinaia di microsecondi. La velocità di lettura è solitamente di decine di nanosecondi.
Passaggio 6
Le caratteristiche dell'uso della memoria flash sono dettate dalle sue caratteristiche. È consentito produrre e vendere microcircuiti con un numero qualsiasi di celle di memoria difettose. Per ridurre questa percentuale, ogni pagina viene fornita con piccoli blocchi aggiuntivi.
Passaggio 7
Il punto debole della memoria flash è che il numero di cicli di riscrittura su una pagina è limitato. La situazione peggiora ulteriormente a causa del fatto che i file system spesso scrivono nella stessa posizione di memoria.
